本发明提供了一种切割道结构及其制造方法、半导体器件及其制造方法，所述切割道结构形成于一晶圆的切割道区上，所述切割道结构包括：刻蚀停止层，形成于所述切割道区上；以及，第一钝化层，形成于所述刻蚀停止层上，且所述第一钝化层具有暴露出所述刻蚀停止层的开口。本发明的技术方案使得在避免刻蚀停止层下方的结构受到过刻蚀的影响的同时，也改善了切割后的晶粒上的裂纹情况，进而避免晶粒的可靠性和良率受到影响。