本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，以介质层为掩膜，刻蚀回刻蚀槽周围的同型重掺杂区和下方的部分厚度的反型体区，来形成所需深度的接触孔，这实质上是一种自对准接触孔刻蚀工艺，因此，基本上不会因工艺波动而产生接触孔对准偏移的问题，进而保证了接触孔和栅极沟槽有非常高的对准精度，避免了后续接触孔内注入的杂质离子在退火后会扩散到沟道区域的问题，进而改善半导体器件的性能。此外，由于是一种自对准接触孔刻蚀工艺，因此无需光罩掩膜版辅助即可刻蚀接触孔，继而可以省去一张光罩掩膜版，降低生产成本。