本发明公开一种三维螺旋电感结构及其制造方法，其中方法包括如下步骤：首先在半导体衬底上沉积底层金属线圈，沉积顶层金属线圈制得三维螺旋电感结构。三维螺旋电感结构将减小传统电感结构对半导体衬底上横向空间的浪费。其使用聚合物牺牲层在电感与衬底之间来产生气隙，以空气为介质的设计，将大幅提高Q值，同时还提高了自我共振频率，从而提升电感值，减小功率损耗，使电感的性能更好。同时基于这种三维的螺旋电感结构，其将大大减小半导体衬底上的寄生电容，除此之外还减少了衬底损耗。