本发明公开一种N沟道耗尽型VDMOS器件及其制作方法。该N沟道耗尽型VDMOS器件的制作方法，包括：在N+衬底正面上形成N‑外延层，N+衬底作为漏；在N‑外延层内形成场限环以及多个P阱；向P阱表面注入N型杂质，以在P阱表面形成反型层；依次形成栅氧层和栅，随后对栅进行氧化，控制栅氧层覆盖相邻P阱之间的区域并延伸覆盖部分P阱；向P阱内分别注入砷和磷后再进行推结，在P阱内形成N型掺杂区，并控制磷的注入深度大于砷的注入深度；对N型掺杂区进行选择性刻蚀以形成源；实现源和P阱之间的连接以及源和漏的引出。本发明提供的制作方法，能够确保N沟VDMOS器件道耗尽型VDMOS器件的沟道处于稳定常开状态。