本发明属于晶片加工制作技术领域，提供了一种蓝宝石晶片退火工艺，多级退火处理如下：第一步，退火炉升温，由室温升温至1000℃，梯度2.5‑3℃/min，并恒温30‑60min；第二步，升温至1450℃，梯度2.5‑3℃/min，恒温8‑12h；第三步，缓慢降温至1200℃，降温梯度1.5‑2℃/min，并恒温2‑3h；第四步，继续降温至600℃，降温梯度1.5‑2℃/min，并继续恒温2‑3h；退火炉停止工作，将晶片自然降温至室温。通过本发明可以将切割、研磨的warp进行分类退火，达到应力释放，并使得蓝宝石晶片warp较一致。