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专利名称一种纳米线气体传感器及其制造方法
申请日2019-09-30
申请号/专利号CN201910942212.4
专利权人深圳市微纳集成电路与系统应用研究院
申请人深圳市微纳集成电路与系统应用研究院
发明人/设计人黄辉;赵丹娜;尚瑞晨;段海波;吴海宁
公告日2019-12-27
公告号CN110618182A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明属于电子技术领域,公开了一种纳米线气体传感器及其制造方法,纳米线气体传感器包括衬底和多根纳米线,多根纳米线设置在衬底的上表面,每个纳米线的两端均设置有电极,多根纳米线的表面分别覆盖多种表面修饰层;通过单根纳米线(或有限根数的纳米线)形成独立纳米线器件,从而形成纳米线器件阵列。通过多根纳米线的表面分别覆盖多种表面修饰层,使得不同的纳米线器件具备不同的气体响应特性,从而实现气体成分识别。
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