本发明公开了一种光刻工艺方法，包括步骤：步骤一、在半导体衬底表面形成包括依次叠加的第一底部抗反射涂层、第一光刻胶层、第二底部抗反射涂层和第二光刻胶层组成的双层式光刻胶结构；步骤二、采用第一光罩进行第一次曝光工艺使第一图形结构转移到第一光刻胶层上；步骤三、采用第二光罩进行第二次曝光工艺使第二图形结构转移到第二光刻胶层上；步骤四、对双层式光刻胶结构进行显影并以显影后的双层式光刻胶结构为掩膜对半导体衬底进行刻蚀将第一和第二图形结构同时转移到半导体衬底中，且第一图形结构位于第二图形结构的底部。本发明还公开了一种双大马士革工艺方法。本发明能采用一次显影和一次刻蚀工艺形成两层图形，能提高生产效率和可靠度。