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专利名称金属栅结构及其制造方法
申请日2019-09-30
申请号/专利号CN201910937920.9
专利权人上海华力集成电路制造有限公司
申请人上海华力集成电路制造有限公司
发明人/设计人孙凤勤;高金德
公告日2020-01-10
公告号CN110672881A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明公开了一种直接用于原子探针分析样品焊接的金属栅结构,包括主体一侧边缘形成有焊接体容置结构;多个焊接体排布在焊接体容置结构底壁上,其顶面为焊接平面,该焊接平面能与原子探针分析样品平面直接焊接。本发明还同开了一种能直接与原子探针分析样品焊接金属栅结构的制造方法。本发明能减少二次加工制造环节,能避免由于二次制造产生的污染,进而能节约生产成本,提高原子探针分析效率和准确率。
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