本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种功率半导体加工方法，其中功率半导体加工方法包括：生长栅氧化层及多晶硅层，并对多晶硅层进行光刻刻蚀；注入及推进形成P－well结；进行N+离子注入及退火形成N+结；然后对所述多晶硅层进行纵向刻蚀，并去除掉两个所述P－well结之间对应的多晶硅层部分，以减小栅极电容区域，两个所述P－well结间距定义为L，两个所述P－well结之间被刻蚀掉多晶硅层的宽度为L1，所述L1≤L，本方案通过对多晶硅层进行刻蚀，去除掉两个所述P－well结之间对应的多晶硅层部分，减小栅极电容的面积，降低栅极电容，提高了产品的整体性能。