本发明公开了一种改善铝焊盘结晶缺陷的方法,包括：步骤一、在晶圆上形成铝焊盘。步骤二、形成由氮化硅层组成的芯片保护层。步骤三、光刻打开铝焊盘的形成区域，采用刻蚀气体包括含氟气体的干法刻蚀工艺将铝焊盘顶部的芯片保护层去除。步骤四、对晶圆进行湿法清洗。步骤五、计算经过步骤四之后铝焊盘中残留有氟元素的表面区域的厚度，采用离子轰击的方法将残留有氟元素的表面区域的铝都去除。本发明能减少或消除铝焊盘上的结晶缺陷，从能提高半导体键合质量，提高封装质量与可靠性。