本发明提供一种制作14nm节点后段制程32nm线宽金属的方法，提供用于制作后段金属线的半导体结构，该半导体结构至少包括碳涂层以及位于碳涂层上的中间层；在中间层上形成光阻层并按照版图对所述光阻层进行曝光；利用显影液对曝光后的光阻层进行显影，显影后的光阻与其接触区的所述中间层反应，形成上窄下宽的凹槽；利用位于半导体结构上的凹槽刻蚀形成14nm节点后段制程32nm线宽金属。本发明利用改性底部抗反射层成分使其能与显影后的光阻接触区域反应，形成光阻底部内凹结构，从而减小金属线纵向的收缩，达到横纵收缩均匀性提升，减小通孔与金属线错位的缺陷并且增大芯片有效使用面积。