本发明提供一种改善高阈值电压器件非对称端鸟嘴缺陷的方法，提供设有STI区的硅基底，在硅基底上形成氧化硅层；在STI区上及氧化硅层上形成一氮化硅层；刻蚀氮化硅层和氧化硅层，将一部分硅基底上以及STI区一侧的一部分暴露出来；沿暴露出来的STI区的一侧以及STI区上剩余氮化硅层的侧壁刻蚀该STI区，形成凹槽；对硅基底进行非晶化处理；在进行了非晶化处理的硅基底区域以及凹槽中形成HVOX层；将剩余的氮化硅层去除。本发明通过对硅基底进行Si离子注入，破坏Si‑Si键，进而打散基底Si的晶体结构，减小通道效应，从而提高ISSG氧化速度，缩短HVOX工艺时间，同时通过增加阻挡层氮化硅的厚度，来限制氧化硅的侧向生长，改善鸟嘴缺陷。