本发明提供了一种栅极及其制作方法，对N型区域内的所述栅极多晶硅层进行N型掺杂之后，对所述N型区域与P型区域内的所述栅极多晶硅层进行离子掺杂，使所述栅极多晶硅层非晶化，使得所述N型区域与所述P型区域内的所述栅极多晶硅层在刻蚀之前的表面晶体结构一致，从而改善所述N型区域与所述P型区域内的所述栅极多晶硅层在刻蚀过程中的形貌差异，以此改善多晶硅蚀刻负载效应，提高器件性能。