本发明提供了一种半导体器件及其制作方法，包括：提供一衬底，所述衬底上形成有结构层，所述结构层中形成有暴露出所述衬底的沟槽；在所述结构层表面和所述沟槽表面依次形成金属层和金属氮化物层，高温退火使所述金属层反应生成金属硅化物层；通入SC1和热硫酸去除所述金属氮化物层和未反应的所述金属层；所述沟槽的侧壁附带形成颗粒，所述颗粒的表面形成有氧化层；使用HF清洗所述沟槽，以去除所述颗粒和所述氧化层；使用SC1清洗所述沟槽，以全部去除所述颗粒，消除所述氧化层包裹所述颗粒附着在所述沟槽侧壁引起的空洞缺陷，从而提高半导体器件的良率。