本发明属于柔性器件领域，为提出一种柔性双层材料作为栅介质层的底栅结构晶体管，丰富晶体管作为电路元器件的用处，使得该柔性器件在大规模集成电路和光电器件的应用提供了可能，本发明双层材料异质栅介质层柔性硅薄膜晶体管及其制造方法，采用磁控溅射工艺在PET衬底上形成ITO底栅电极以及TiO2/Ta2O5栅介质膜，随后在SOI上采用光刻工艺形成掺杂区图案以及离子注入的方式形成掺杂区，采用光刻以及离子刻蚀的方式形成方孔层，采用湿法HF刻蚀的方式形成硅纳米膜层，通过转移技术将硅纳米薄膜转移到PET衬底上，最后通过光刻以及真空电子束蒸镀的方式形成源漏电极，完成晶体管的制备。本发明主要应用于设计制造场合。