本发明公开一种3D扇出型封装方法及结构，属于集成电路封装技术领域。首先提供硅基和玻璃载板，所述硅基正面通过截止层与所述玻璃载板键合；接着在硅基背面刻蚀TSG（ThroughSiliconGroove）凹槽和TSV硅通孔并形成钝化层和第一层再布线；然后制作金属焊垫和通孔焊垫，在硅基背面制作缓冲层并在其表面开口；将芯片埋入TSG凹槽，用干膜材料填充芯片与硅基间隙，并在芯片的焊盘和第一层布线处开口；再进行n层再布线，将异构芯片通过微凸点与n层重布线互连，通过塑封料塑封异构芯片；拆掉玻璃载板露出所述截止层，在金属焊垫和通孔焊垫处开口；依次形成n层再布线、阻焊层和凸点，最后切成单颗封装芯片完成最终封装。