本申请提供了一种外延结构和低导通电压晶体管，涉及半导体和通信技术领域。低导通电压晶体管包括外延结构。外延结构包括复合基电极层和发射极层。复合基电极层包括第一基电极层和基于所述第一基电极层制作的第二基电极层；其中，所述第一基电极层的材料包括GaAs，所述第二基电极层的材料包括InxGa1‑xAs。复合基电极层能够降低基电极层的能隙，使基电极层与发射极层之间的导电带尖峰效应降低，运用在晶体管中，能够降低导通电压，降低功耗；在第二基电极层上采用Pt形成欧姆接触层更加容易，可以减薄Pt的厚度，使Pt驱入复合基电极层的量减少，从而使器件产生界面复合电流的情况减少，使器件的信赖性测试更加稳定、可靠。