本发明公开一种不同深度的垂直电容结构及制作方法，其中方法包括如下：在半导体衬底上制作孔；涂布第一光阻层，对孔内壁的一侧曝光显影并制作第一金属层；涂布第二光阻层，对孔内壁的另一侧曝光显影并制作第二金属层，第二金属层和第一金属层之间具有间隙；沉积第二氮化物层，第二氮化物层覆盖第一金属层和第二金属层，在孔内的第二氮化物层填满第一金属层和第二金属层间的间隙并作为介质层；在孔内的电容结构可以大大提高电容面积，提高了外延结构的面积利用率；占用的平面空间更小，有利于缩小器件尺寸；不改变原有的制程工艺上，制作出孔内的电容结构，节省工艺成本。