本发明涉及筛选SBAR规则的方法，涉及半导体集成电路中的光学临近效应修正技术，在筛选SBAR规则过程中，首先提供一第一图案，在第一图案周围生成不同SBAR规则，以生成带有不同SBAR规则的第一图案集合；然后生成不同焦点下的光学模型；然后确定最佳的焦点值；然后确定光强的阈值；最后利用最佳的焦点值对应的光学模型对带有不同SBAR规则的第一图案进行仿真，得到带有不同SBAR规则的第一图案的焦深，筛选出焦深大于一第一阈值的带有SBAR规则的图案，将其对应的SBAR规则为备用SBAR规则，如此在筛选SBAR规则的过程中不需要针对多种不同SBAR规则出版掩膜版，不仅可以节省掩膜版和人力物力，同时还可以缩短开发周期。