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专利名称图形偏移的测试结构及其形成方法、图形偏移的检测方法
申请日2019-09-26
申请号/专利号CN201910918539.8
专利权人中芯集成电路制造(绍兴)有限公司
申请人中芯集成电路制造(绍兴)有限公司
发明人/设计人眭小超;王珏;钟荣祥;周旭;钟志鸿
公告日2020-01-07
公告号CN110660779A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明提供了一种图形偏移的测试结构及其形成方法、图形偏移的检测方法。本发明提供的图形偏移的测试结构中,多个串联元件的端部依次靠近导电连接线,从而当对应于导电连接线的第二图案层相对于对应于串联元件的第一图案层存在由于对准偏差而产生的图形偏移时,即会导致连接至导电连接线上的串联元件的数量发生变化,进而可以根据串联元件的数量变化,推断出第二图案层相对于第一图案层的对准偏差。即,本发明提供的测试结构中,可以根据连接至导电连接线上的串联元件的数量变化,更为明显、直观的体现出各个图案层之间由于对准偏差所产生的图形偏移状况。
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