本发明涉及双重栅极氧化层生长方法及半导体器件的制造方法，涉及半导体集成电路制造工艺，在包括核心器件和输入输出器件的半导体衬底上生长厚氧氧化层过程中增加温度峰值950度的退火工艺，使得厚氧氧化层SiO2更加致密，氧化层与半导体衬底(如硅)之间的拉应力被提高，当核心器件区域去除厚氧氧化层后，应力已经被记忆下来，提高了沟道中的电子迁移率，同时由于此工艺过程是在器件浅掺杂、源漏离子注入之前，对于器件的总体电性性能不会产生很大的影响，而电子迁移率的提高使得器件在相同的工作电压下，可以实现更高的饱和电流。