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专利名称ICPMS测试方法以及ICPMS扫描平台
申请日2019-09-25
申请号/专利号CN201910908564.8
专利权人上海华力集成电路制造有限公司
申请人上海华力集成电路制造有限公司
发明人/设计人吕亚冰;岳思宇
公告日2019-12-31
公告号CN110634762A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本申请公开了一种ICPMS测试方法以及ICPMS扫描平台,该方法包括:对硅片进行刻蚀;将刻蚀过的硅片固定在ICPMS扫描平台;使VPD液滴在硅片表面滚动,收集硅片表面的金属成份,通过倾斜硅片利用VPD液滴的重力降低VPD液滴在硅片表面的残留;将VPD液滴雾化后进行光谱分析,计算得到VPD液滴中的金属成份含量。本申请通过在ICPMS测试过程中,使VPD液滴在硅片表面滚动收集硅片表面的金属成份时,通过倾斜硅片利用VPD液滴的重力降低了VPD液滴在硅片表面的残留,提高了ICPMS测试的测试结果的准确性和稳定性。
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