本发明公开一种孔内电镀结构及其制作方法，其中方法包括如下步骤：在半导体衬底上覆盖第一光阻层，并在待制作的孔处曝光、显影；以第一光阻层为掩膜对半导体衬底进行蚀刻，制得孔，孔底部为半导体衬底另一面的金属层，并去除第一光阻层；沉积籽晶层金属。本方案在半导体衬底制得到带有籽晶层金属的孔后，于半导体衬底上粘附干膜光刻胶，并于孔区域曝光显影，电镀金属到孔区域，形成电镀金属层，并去除干膜光刻胶，避免了光阻填充孔内后，因光阻用量大造成膜面异常状况的发生，也避免了因光阻残留于孔内，影响电镀效果；同时节约成本，提高生产效率。