本申请公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在核心器件的NMOS区域覆盖光刻胶，通过刻蚀去除IO器件的源漏区域以及核心器件的PMOS区域的源漏区域的硬掩模层；对IO器件的源漏区域的第一栅氧化层，以及PMOS区域的源漏区域进行刻蚀，在PMOS区域的源漏区域形成U形沟槽；去除NMOS区域的光刻胶，对PMOS区域的源漏区域进行刻蚀，在PMOS区域的源漏区域形成∑形沟槽；通过外延工艺在∑形沟槽中生长硅锗层；通过湿法刻蚀工艺先后去除硬掩模层以及IO器件的源漏区域的第一栅氧化层。本申请由于不需要通过额外的光刻工艺去除源漏区域的第一栅氧化层，从而降低了工艺复杂性，进而降低了工艺成本。