本发明涉及柔性器件领域，提出并制备一种基于柔性PET衬底的三层金属氧化物材料作为栅介质层的底栅结构晶体管，采用磁控溅射的低温工艺，在较为简便的工艺中设计并制备底部驱动的柔性薄膜晶体管，极大丰富晶体管作为电路元器件的用处，使得该柔性器件在大规模集成电路和光电器件的应用提供可能。为此，本发明采取的技术方案是，异质栅介质层柔性硅薄膜晶体管及其制造方法，PET衬底上依次形成有ITO底栅电极以及SiO2/HfO2/SiO2栅介质膜，SiO2栅介质膜上有采用光刻工艺形成掺杂区图案以及离子注入的方式形成有掺杂区的SOI膜。本发明主要应用于底栅结构晶体管设计制造场合。