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专利名称测试片及其制造方法和晶圆键合缺陷的检测方法
申请日2019-09-20
申请号/专利号CN201910891622.0
专利权人武汉新芯集成电路制造有限公司
申请人武汉新芯集成电路制造有限公司
发明人/设计人姚佳辉
公告日2019-12-27
公告号CN110620104A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

本发明提供了一种测试片及其制造方法和晶圆键合缺陷的检测方法以及半导体器件的制造方法,通过将测试片和第二晶圆放置在晶圆键合机台上进行键合,以形成晶圆键合结构,且所述测试片上的键合图形位于所述晶圆键合结构的顶表面;以及,扫描所述晶圆键合结构的顶表面的所述键合图形,并根据所述扫描的结果以及所述测试片上的键合图形的前值坐标,获得所述晶圆键合结构中的变形缺陷的分布情况,使得能够快速且准确地检测晶圆键合机台的变形参数是否出现异常,从而避免导致批量产品异常。
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