本发明公开一种提高抗击穿能力的SMIM电容结构及制作方法，其中方法包括如下步骤：在第二外延结构的绝缘区域上蒸镀第一层金属，形成电容的第一极板；沉积第三氮化物层，并在第一层极板上蚀刻出第一保护环窗口，保留第一保护环窗口外侧的第三氮化物层作为第一保护环组成结构；沉积第四氮化物层，并在第一极板上的一侧蚀刻出金属连接窗口，第一极板上保留的第四氮化物层作为第一介电层和第一保护环组成结构。第三氮化物层和第四氮化物层、第五氮化物层、第六氮化物层和聚酰亚胺层组成的保护环结构，能够提升SMIM电容的抗击穿能力，并提高电容器件的抗水汽能力和可靠性。