本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件的制造方法包括：在衬底上形成相邻的半导体结构，所述相邻的半导体结构的间隔填满有牺牲层；对所述牺牲层和所述间隔的侧壁进行至少两次刻蚀，以去除部分厚度的所述牺牲层，并使得所述间隔的顶部开口宽度增大到预设要求；去除所述间隔中剩余的所述牺牲层，形成宽度从顶部至底部先减小后增大的凹槽。本发明的技术方案使得所述凹槽中填充的半导体材料中的空洞缺陷得到改善，避免影响半导体器件的电性能，进而避免导致产品良率下降。