本申请公开了一种晶体管及其制造方法，主要包括：在衬底上形成碳纳米管；在碳纳米管上形成栅叠层结构；形成覆盖栅叠层结构的侧墙；形成至少覆盖侧墙的牺牲层；形成覆盖碳纳米管与牺牲层的金属层，部分位于源漏区域的金属层作为与碳纳米管接触的电接触；去除金属层的一部分以暴露牺牲层；以及去除牺牲层以暴露侧墙。在该制造方法中，当形成金属层时，金属层将会直接覆盖在牺牲层与碳纳米管上，经过牺牲层的隔离，避免了侧墙与金属层直接接触，通过去除牺牲层将覆盖在牺牲层上的金属层与器件分离，形成了源漏接触结构，以便源漏金属能够有效地与碳纳米管产生良好的浸润性，实现低电阻的欧姆接触。