本发明提供一种半导体器件及其制造方法，衬底上形成有覆盖层、扩散阻挡层以及粘合层，在粘合层中形成连线层上的键合孔之后，继续刻蚀键合孔中连接孔下的扩散阻挡层，直至贯通至连线层，并过刻蚀连线层，连线层中过刻蚀部分的形貌基本呈倒梯形或方形，这样，这样的形貌更利于后续键合孔材料的填充，提高键合垫与连线层的电连接特性，进而提高器件的性能。