本发明公开一种硅基三维扇出集成封装方法及结构，属于集成电路封装技术领域。首先提供背面沉积有截止层的硅基，在所述截止层上键合玻璃载板；接着在所述硅基正面刻蚀出凹槽和TSV通孔，在凹槽中埋入母芯片并用干膜材料填满；然后将若干个子芯片焊接到所述硅基正面，并塑封整个硅基正面；去除所述玻璃载板和所述截止层，在所述母芯片和硅基背面分别刻蚀凹槽并埋入子芯片；再用干膜材料填满，在子芯片的焊盘处开口，完成n层布线；最后制作阻焊层和凸点，最后减薄、切割完成封装。