本发明提供了一种闪存器件及其制造方法，所述闪存器件的制造方法包括：提供一衬底，在所述衬底上形成有相邻的第一栅极堆叠结构和第二栅极堆叠结构，所述第一和第二栅极堆叠结构之间的间隔为第一沟槽；形成多晶硅层于所述第一沟槽中，且所述多晶硅层未填满所述第一沟槽，以暴露出所述第一沟槽的部分高度的侧壁；形成内侧墙于暴露出的所述第一沟槽的侧壁上；以及，以所述内侧墙为掩膜，刻蚀所述第一沟槽中的所述多晶硅层，以形成字线栅。本发明的技术方案使得相邻字线栅的宽度相同或接近相同，降低了短路的风险，提高了闪存器件的性能。