本发明涉及一种抗瞬时辐射加固的集成电路版图结构，包括P阱，N阱，NMOS器件，PMOS器件，第一P阱接触，第二P阱接触，第一N阱接触，第二N阱接触；其中，NMOS器件、第一P阱接触和第二P阱接触位于P阱中，PMOS器件、第一N阱接触和第二N阱接触位于N阱中；第一P阱接触在NMOS器件源端一侧，第二P阱接触在NMOS器件漏端一侧，第一P阱接触和第二P阱接触的面积之和不小于所在P阱面积的15％，第一N阱接触在PMOS器件源端一侧，第二N阱接触在PMOS器件漏端一侧，第一N阱接触和第二N阱接触的面积之和不小于所在N阱面积的15％；上述面积是指所述区域的平面版图面积。