本发明为一种集成电路低k介质抛光后清洗剂及其清洗方法。所述的清洗剂的组成包括非离子表面活性剂、阴离子表面活性剂、pH调节剂和去离子水，其中，非离子表面活性剂质量是去离子水的质量的0.3％‑2％；阴离子表面活性剂的质量为去离子水质量的0.1％‑1.5％；清洗剂的pH值为9‑10。清洗方法中，通过洗刷参数的设置，以及加热烘干、CVD处理步骤的增加，本发明可以对低k介质材料进行保护，改善刷子使用寿命，并能对低k材料结构破坏部分修复，实现k值的恢复。