本发明公开了基于溶液法的单片异质集成Cascode氮化镓高迁移率晶体管，该器件由氮化镓高电子迁移率晶体管和氧化锌晶体管组合而成，其自下而上包括：衬底(1)、GaN缓冲层(2)、AlGaN势垒层(3)，AlGaN势垒层的中间刻有隔离槽(4)，以对所组合的两种晶体管进行电气隔离；隔离槽一侧的AlGaN势垒层上设有GaN高电子迁移率晶体管的源、漏、栅电极；隔离槽另一侧的AlGaN势垒层一侧上设有Al2O3绝缘层、ZnO薄膜以及氧化锌晶体管的源、漏、栅极，形成硅与氮化镓异质集成的单片芯片。本发明降低了制造成本，减小了芯片所占面积，提高了集成度，可用于汽车、航空航天、发电站中大规模集成电路的制造。