本发明公开了一种单片晶圆测试多台设备的方法，包括以下步骤：应力测试仪对裸硅晶圆进行应力前置测试，获取前置应力值；将裸硅晶圆置入化学气相沉积设备中，对应力测试后的裸硅晶圆沉积氮化硅，膜厚测试仪对沉积氮化硅的硅晶圆进行膜厚和折射率测试，获取氮化硅膜厚和折射率作为化学气相沉积设备测机参数，以及应力测试仪对沉积氮化硅的硅晶圆进行后置应力测试，获取第一后置应力值。本方案省去多道传统检测工艺步骤，简化测机工艺流程，缩短了检测周期，减少测机片的使用，提高检测效率。