本发明涉及槽式湿法刻蚀机台及利用其进行湿法刻蚀的方法，涉及半导体集成电路制造设备，在槽式湿法刻蚀作业中，通过承载装置带动晶圆旋转，使晶圆不同边缘位置都均等地通过处理槽内刻蚀速率不同的位置，从而减小处理槽的硬件结构导致的处理槽底部和顶部刻蚀速率差异对晶圆面内均匀性的影响，进而提高槽式湿法刻蚀晶圆面内均匀性。