本发明涉及CMOS器件中栅介质层界面态缺陷修复的方法及栅介质层，涉及半导体集成电路制造技术，在栅介质层的制作过程中，在形成掺杂氮的氧化层界面层后采用高温氨气气氛下退火处理及高温激光退火处理，可以达到防止掺杂氮的氧化层界面层(SION)与衬底界面处SiO2的二次生长，防止EOT变厚，并且充分修复掺杂氮的氧化层界面层(SION)材料中断裂键及缺失键，使其补充为稳定的Si‑O‑N结构，而且对掺杂氮的氧化层界面层(SION)具有更好的固氮作用，进而提高掺杂氮的氧化层界面层(SION)的性质，界面态缺陷明显降低，提高器件性能。