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专利名称一种红外探测器接触孔结构及其制作方法
申请日2019-09-06
申请号/专利号CN201910841908.8
专利权人上海集成电路研发中心有限公司
申请人上海集成电路研发中心有限公司
发明人/设计人康晓旭
公告日2020-01-17
公告号CN110707061A
法律状态审中
专利类型发明
行业分类集成电路

摘要

一种红外探测器接触孔结构及其制作方法,该接触孔结构包括:位于牺牲层上部具有一预设深度的支撑和电连接孔沟槽和多个接触小孔,且所述多个接触小孔的底部与器件层的电连接点相接触;其中,所述多个接触小孔和所述支撑和电连接孔沟槽填充有第一金属,所述第一金属的表面与所述支撑和电连接孔沟槽和/或外部牺牲层的表面平齐;其中,所述接触孔的孔径小于所述支撑和电连接孔沟槽的孔径,所述预设深度小于所述牺牲层的厚度。
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