本申请公开了一种通过原子层沉积工艺沉积氮化硅的方法及半导体晶圆。该方法包括：提供一衬底；将衬底固定在半导体炉管的晶舟上；通过原子层沉积工艺在衬底上沉积氮化硅，在衬底上形成氮化硅薄膜，在原子层沉积工艺中，通过增加反应气体的载流气体流量降低衬底外侧的氮化硅薄膜的厚度与衬底内侧的氮化硅薄膜厚度的差值，以提高氮化硅薄膜的厚度均一性。本申请通过在原子层沉积工艺沉积氮化硅的过程中增加反应气体的载流气体流量，增加了反应气体在炉管反应腔内的流速，从而减小了氮化硅在衬底外侧的淀积速度，降低了生成的氮化硅薄膜在衬底外侧与衬底内侧的厚度差值，从而提高了氮化硅薄膜的均一性。