本发明公开了一种石墨烯基异质结场效应晶体管、制备方法及其集成电路，属于半导体器件技术领域。其包括：衬底、栅电极、电介质层、石墨烯层、源电极和漏电极，还包括：氧化物半导体层，且氧化物半导体层设置在石墨烯层与源电极和漏电极之间，器件可采用顶栅或底栅结构。其制备方法包括：在栅电极上沉积形成电介质层；在电介质层上形成石墨烯层；在石墨烯层上形成氧化物半导体层；在氧化物半导体层的两端分别形成源电极和漏电极。本发明提高了传统石墨烯FET器件的开关比，并且获得足够高的迁移率以及可饱和的输出特性，因此能够满足其在逻辑和射频领域的相关应用，且制造方式简单，有利于大规模生产应用。