本发明提供了一种金属层结构的制造方法以及半导体器件及其制造方法，所述金属层结构的制造方法包括：提供一晶圆；形成金属膜层于所述晶圆上，所述金属膜层的温度高于所述金属膜层的材质的固溶温度；对所述金属膜层进行冷却处理；以及，检测所述金属膜层中的杂质缺陷是否超出规格，若所述金属膜层中的杂质缺陷超出规格，则对所述金属膜层进行去杂质处理，以使得所述金属膜层中的杂质缺陷未超出规格；若所述金属膜层中的杂质缺陷未超出规格，则对所述金属膜层进行刻蚀，以形成所述金属层结构。本发明的技术方案使得金属层结构中的杂质缺陷控制在规格以内，进而避免影响金属层结构的性能。