本发明提供了一种控制编程噪声的方法。所述方法包括：对所述Nandflash存储器中存储链与其所处的位线之间的选通管施加第一预设电压，使得选通管导通，在选通管导通的情况下，对Nandflash存储器中存储链所处的位线施加第二预设电压，其中，通过施加第二预设电压，使得Nandflash存储器中存储链的沟道电压从0变为第一初始电压。本发明在预备编程的阶段使得不需要编程的存储链的沟道电压变高，就可以使得在编程的过程中不需要编程的存储单元的浮栅与沟道之间的电压差变得更低，消除了编程过程中引入的编程噪声，提高了NandFlash的读取精度。