本发明公开一种提高高压器件抗辐照性能的方法，属于集成电路技术领域。首先提供P型衬底，在所述P型衬底上依次形成外延硅层、二氧化硅层和阻挡层；接着刻蚀形成STI隔离槽，对所述STI隔离槽底部注入BF2，侧壁注入In；然后生长SiO2/SIPOS/SiO2夹层结构的薄膜；填充HDP介质，进行高温退火处理，对HDP介质进行平坦化；最后进行阱注入、栅氧生长、多晶生长及刻蚀、轻掺杂漏注入、侧墙生长刻蚀以及源漏注入，后续工艺遵循通用的0.18μm闪存工艺制程。