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专利名称一种沟槽超级势垒整流器
申请日2019-02-28
申请号/专利号CN201920255331.8
专利权人厦门芯一代集成电路有限公司
申请人厦门芯一代集成电路有限公司
发明人/设计人张军亮;陈利
公告日2019-08-27
公告号CN209312768U
法律状态有效
专利类型实用新型
行业分类集成电路

摘要

本实用新型提供一种沟槽超级势垒整流器。所述沟槽超级势垒整流器包括第一导电类型重掺杂衬底层、第一导电类型掺杂外延层、第一导电类型轻掺杂外延层、栅极介质层、栅电极层、第二导电类型体区、第一导电类型重掺杂源区、正面电极层和背面电极层。本实用新型结合了PN二极管、肖特基二极管和MOS晶体管漏电流低,开启电压低等优点,相比于传统肖特基二极管消除了热不稳定性的缺点,采用沟槽底部氧化物加厚提高了氧化物栅介质层的耐压能力及可靠性;本实用新型阳极采用挖槽结构,增大第一导电类型源区的接触面积,减小接触电阻;同时采用不同掺杂浓度的第一导电类型双外延层和沟槽栅极结构,进一步减小器件的导通电阻,降低器件的通态功耗。
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