本发明涉及柔性器件领域，为设计并制备一种基于SrOx栅介质层的底栅结构晶体管，采用磁控溅射的低温工艺，在较为简便的工艺中设计并制备底部驱动的柔性薄膜晶体管，能够极大丰富晶体管作为电路元器件的用处，使得该柔性器件在大规模集成电路和光电器件的应用提供可能，本发明，氧化锶栅介质层柔性氧化物薄膜晶体管及其制造方法，聚酰亚胺PI柔性衬底自下而上依次为金属底栅层、SrOx栅介质膜和氧化铟In2O3薄膜，金属底栅层引出栅极，顶部设置源、漏电极，源、漏电极分别与SrOx栅介质膜和In2O3薄膜连通。本发明主要应用于柔性器件、晶体管设计制造场合。