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| 专利名称 | 具有介电层的集成电路器件和制造其的方法和装置 |
| 申请日 | 2019-02-19 |
| 申请号/专利号 | CN201910121511.1 |
| 专利权人 | 三星电子株式会社 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 |
| 发明人/设计人 | 朴瑛琳;文瑄敏;郑昌和;朴影根;徐钟汎;曹圭镐 |
| 公告日 | 2019-11-26 |
| 公告号 | CN110504241A |
| 法律状态 | 审中 |
| 专利类型 | 发明 |
| 行业分类 | 集成电路 |
摘要
集成电路(IC)器件包括电极、面向电极的介电层、以及介于电极和介电层之间并包括第一金属的多个界面层。多个界面层包括第一界面层和第二界面层。第一界面层的氧含量不同于第二界面层的氧含量。
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