本发明提供了一种纳米级电子芯片封装材料，本发明制备的封装材料性能优异，吸水率低、耐热性好、可靠性高、弯曲强度高，热血性能、力学性能、电学性能等达到了一个均衡的水平，满足大规模集成电路的封装材料要求；本发明包括环氧树脂7％‑30％、苯酚线性酚醛树脂3.5％‑15％、促进剂0.5％‑1％、熔融硅微粉60％‑90％、脱模剂0.1％‑1％、阻燃剂1％‑5％、碳黑0.1％‑1％、3‑丙基三甲氧基硅烷0.5％‑1％、应力吸收剂0.1％‑5％；通过将各组分按比例依次放入高速混合机中混合、塑炼机中混炼，使各组分之间能够充分分散并彼此发生作用，制备方法简单易控，有效降低了生产成本。