本发明公开了一种高电压半导体器件及其制造方法。所述高电压半导体器件包括：第一导电类型的半导体区，其具有第一区域和第二区域；第一绝缘图案，其设置在半导体区的第一区域之上以具有第一厚度；第二绝缘图案，其设置在半导体区的第二区域之上以具有大于第一厚度的第二厚度；以及栅电极，其设置在第一绝缘图案和第二绝缘图案之上以在第一区域与第二区域之间的边界区域之上具有台阶结构。栅电极具有以下掺杂分布：在第一区域之上分布在栅电极中的杂质离子的最大射程的位置位于与在第二区域之上分布在栅电极中的杂质离子的最大射程的位置基本相同的水平高度。