本申请公开了编程效率增强的一次性可编程存储器件及其制造方法。所述一次性可编程(OTP)存储器件包括多个单位单元，所述多个单位单元分别位于字线和位线的交叉点处。每个单位单元包括串联耦接的选择晶体管和存储晶体管。所述选择晶体管包括通过第一沟道区而分开的漏极区和公共结区，并且包括设置在所述第一沟道区上的选择栅极结构。所述存储晶体管包括通过第二沟道区而分开的源极区和公共结区，并且包括设置在所述第二沟道区上的浮置栅极结构。所述源极区和所述浮置栅极结构之间的重叠区域在所述存储晶体管的沟道长度方向上的长度小于所述公共结区和所述浮置栅极结构之间的重叠区域在沟道长度方向上的长度。